NCV8403, NCV8403A
TEST CIRCUITS AND WAVEFORMS
L
VDS
VIN
tp
RG
D
G DUT
S
VDD
+
?
IDS
Figure 26. Inductive Load Switching Test Circuit
5V
VIN
VDS
IDS
T av
T p
V (BR)DSS
I pk
VDD
V DS(on)
Figure 27. Inductive Load Switching Waveforms
http://onsemi.com
9
0V
0
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相关代理商/技术参数
NCV8403DTRKG 功能描述:MOSFET 42V 14A SINGLE N CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT1G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8403STT3G 功能描述:MOSFET NCV8403 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405A 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
NCV8405ADTRKG 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT1G 功能描述:MOSFET SELF PROTECTED LOW SIDE F RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NCV8405ASTT3G 功能描述:IC DRIVER LOW SIDE SOT-223-4 RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:高端 输入类型:非反相 输出数:1 导通状态电阻:85 毫欧 电流 - 输出 / 通道:2A 电流 - 峰值输出:6A 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:4-UFDFN 裸露焊盘,4-TMLF? 供应商设备封装:4-TMLF?(1.2x1.6) 包装:剪切带 (CT) 其它名称:576-1574-1